ИССЛЕДОВАНИЕ РЯДА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАКОПИТЕЛЕЙ ВИДЕОИНФОРМАЦИИ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНА И ОКСИДА СВИНЦА

Представлены результаты исследования физико-химических характеристик стеклообразных и кристаллических полупроводников и полупроводниковых материалов на основе PbO-Se. Показано, что для эффективной работы безвакуумных фотоэлектрических преобразователей (БФЭП), обладающих памятью, требуются накопители информации, состоящие из высокочувствительного записывающего слоя и высокоомного запоминающего слоя. По данным теоретических научных и прикладных исследований для эффективной работы такого типа БФЭП с памятью требуется создание многослойных неорганических накопителей видеоинформации с непрерывной структурой. В нашем случае была выбрана система оксид свинца (II) – селен. Проведенные исследования позволили авторам выяснить ряд закономерностей, показывающих влияние технологии изготовления накопителей, в частности температуры подложки, режима напыления, остаточного давления паров в системе, параметров подслоя и качества исходного материала на электрофизические параметры фотоэлектрических преобразователей.